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IRF520S, SiHF520S
Vishay Siliconix
750
600
450
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
10 1
175 ° C
25 ° C
10 0
300
C oss
150
C rss
0
10 0
10 1
10 -1
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V GS = 0 V
1.1 1.2
91018_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91018_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
I D = 9.2 A
V DS = 80 V
10 3
5
2
Operation in this area limited
by R DS(on)
V DS = 50 V
10 2
12
8
V DS = 20 V
5
2
10
5
2
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
1
10
4
0
0
4
8
12
For test circuit
see figure 13
16 20
5
2
0.1
0.1
2
5
1
2
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
5 2
5
10 2
2
5
10 3
91018_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91018_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91018
S11-1046-Rev. C, 30-May-11
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